BSC098N10NS5 دیتاشیت
مشخصات دیتاشیت
|
نام دیتاشیت
|
BSC098N10NS5
|
|
حجم فایل
|
51.918
کیلوبایت
|
|
نوع فایل
|
pdf
|
|
تعداد صفحات
|
13
|
مشخصات فنی
-
RoHS:
true
-
Type:
N Channel
-
Category:
Triode/MOS Tube/Transistor/MOSFETs
-
Datasheet:
Infineon Technologies BSC098N10NS5
-
Power Dissipation (Pd):
2.5W
-
Drain Source Voltage (Vdss):
100V
-
Continuous Drain Current (Id):
60A
-
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id):
3.8V@36uA
-
Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id):
9.8mΩ@10V,30A
-
Package:
TDSON-8(6x5)
-
Manufacturer:
Infineon Technologies
